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Rev 4 概念总整理 Concept Index

字数 9,772阅读时间 20 分钟Ayaskt
2026/06/24 10:46:31 CST

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本页只整理 CCD 笔记里出现的概念。公式推导看 Rev 3,电路图和框图看 Rev 2;这里负责回答一个问题:看到术语时,它属于哪一类,入口判断是什么。

NOTE

Lecture 10 是中期复习页,概念已并入 Lecture 1-9 对应条目。

章节目录

4-1 通信系统与信号基础 Communication Basics

4-1-1 通信链路与系统量

概念复习抓手来源
电子通信系统 Electronic Communication System消息从 source 经过 transmitter、channel、receiver 到 destination。先看系统边界,再看信号在哪一级被处理。Lec 1
发射机 Transmitter把消息信号转换、调制、放大,并送入信道。关键词是 modulation、amplification、coupling。Lec 1
信道 Channel信号传播的物理路径,可以是导线、光纤或自由空间。噪声和衰减主要在这里进入系统。Lec 1
接收机 Receiver从信道中选出目标信号,放大、解调,并恢复消息。后面 RF receiver 是这个概念的高频版本。Lec 1
噪声 Noise不携带目标信息的随机扰动。热噪声、外部干扰和电路内部噪声都算。Lec 1
热噪声 Thermal Noise由载流子热运动产生,功率与温度和带宽相关。接收机灵敏度、noise floor 都从这里延伸。Lec 1, Lec 17
增益 Gain输出量相对输入量的放大倍数。线性域相乘,dB 域相加。Lec 1
衰减 Attenuation信号幅度或功率降低。通常当作负增益处理。Lec 1
分贝 Decibel, dB对数尺度。功率比用 ,电压或电流比用 Lec 1
dBm / dBW绝对功率单位。dBm 参考 ,dBW 参考 Lec 1
信噪比 Signal-to-Noise Ratio, SNR有用信号功率与噪声功率的比值。接收机灵敏度题经常把它作为最低输出质量要求。Lec 1, Lec 17
RMS 值 Root Mean Square交流功率计算使用有效值。电阻负载上常用 Lec 1

4-1-2 信号、频谱与传输方式

概念复习抓手来源
单工 Simplex只允许单方向传输。广播、电视属于典型例子。Lec 2
全双工 Full Duplex双方可以同时发送和接收。电话通话是典型例子。Lec 2
半双工 Half Duplex双方都能通信,但同一时刻只有一方发送。对讲机是典型例子。Lec 2
模拟信号 Analog Signal幅度随时间连续变化。容易受噪声影响,但能直接表示自然物理量。Lec 2
数字信号 Digital Signal幅度取离散状态。更适合编码、存储和抗噪处理。Lec 2
采样 Sampling按固定间隔从连续信号取值。ADC 章节会把它展开为采样、保持、量化、编码。Lec 2, Lec 19
采样频率 Sampling Frequency每秒采样次数。采样频率不够会导致 aliasing。Lec 2, Lec 19
Nyquist Rate对最高频率为 的带限信号,最低采样频率为 Lec 2, Lec 19
Nyquist Frequency对采样频率 ,可无混叠表示的最高频率为 Lec 2, Lec 19
基带 Baseband未搬移到高频载波上的原始信息频带。音频、数字基带码流都属于这个层次。Lec 2
宽带 Broadband / Passband信号被搬移到某个载波附近传输。调制、混频和 RF 接收机都在处理这个问题。Lec 2
调制 Modulation用消息信号改变载波的幅度、频率或相位。AM、FM、PM、SSB 都从这里开始。Lec 2, Lec 11
解调 Demodulation从已调载波恢复消息信号。接收机 detector stage 的核心动作。Lec 2
复用 Multiplexing多路信号共享同一信道。可从 frequency、time、code 等维度区分。Lec 2
频谱 Spectrum信号在频率轴上的分量分布。调制题先画频谱,通常能少错一半。Lec 2
带宽 Bandwidth信号或系统占用的频率范围。LC、AM、FM、天线、接收机都会反复使用。Lec 2

4-2 半导体与二极管 Semiconductors and Diodes

4-2-1 材料、掺杂与载流子

概念复习抓手来源
原子结构 Atomic Structure电子分布决定材料导电性。半导体章节只需要抓住价电子和能否形成自由载流子。Lec 2b
价电子 Valence Electron最外层参与成键和导电的电子。硅的四价结构是半导体分析入口。Lec 2b
导体 Conductor有大量自由电子,容易导电。Lec 2b
绝缘体 Insulator几乎没有自由载流子,导电能力很差。Lec 2b
半导体 Semiconductor导电能力介于导体和绝缘体之间,可通过掺杂和偏置控制。Lec 2b
本征半导体 Intrinsic Semiconductor纯净半导体。电子和空穴数量大致相同。Lec 2b
空穴 Hole价电子缺位形成的等效正载流子。P 型材料以空穴为多数载流子。Lec 2b
掺杂 Doping向半导体加入杂质原子,改变多数载流子类型和浓度。Lec 2b
施主 Donor提供额外电子的掺杂原子,形成 N 型半导体。Lec 2b
受主 Acceptor接收电子并产生空穴的掺杂原子,形成 P 型半导体。Lec 2b
N 型半导体 N-Type Semiconductor多数载流子是电子,少数载流子是空穴。Lec 2b
P 型半导体 P-Type Semiconductor多数载流子是空穴,少数载流子是电子。Lec 2b
多数载流子 Majority Carrier在某类掺杂半导体中数量占主导的载流子。器件电流方向判断会用到。Lec 2b
少数载流子 Minority Carrier数量较少但对反向电流、光电效应等现象仍有影响的载流子。Lec 2b

4-2-2 PN 结、偏置与二极管模型

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PN 结 PN JunctionP 型和 N 型材料接触后形成的结。二极管、BJT 结偏置都从这里来。Lec 2b
耗尽层 Depletion Region结附近自由载流子被复合消耗后留下的空间电荷区。宽度随外加偏置改变。Lec 2b
势垒电压 Barrier PotentialPN 结内建电场对应的电压障碍。硅二极管常按约 记。Lec 2b
二极管 Diode由一个 PN 结构成,主要特性是单向导通。Lec 2b
正向偏置 Forward BiasP 端接高电位,耗尽层变窄,超过门槛后电流显著增大。Lec 2b
反向偏置 Reverse BiasP 端接低电位,耗尽层变宽,只有很小反向电流。Lec 2b
V-I 特性曲线 V-I Characteristic横轴电压、纵轴电流。正向导通、反向截止、击穿都在这张图上判断。Lec 2b
击穿 Breakdown反向电压过大导致反向电流急剧增大。普通二极管要避免,稳压二极管可利用。Lec 2b
理想二极管模型 Ideal Diode Model正向导通当短路,反向截止当开路。适合快速判断。Lec 2b
实用二极管模型 Practical Diode Model正向导通加入固定压降,硅二极管常取 Lec 2b
完整二极管模型 Complete Diode Model在固定压降外再考虑体电阻。适合更精确的电路计算。Lec 2b

4-3 晶体管与放大器 Transistors and Amplifiers

4-3-1 BJT 概念

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BJT Bipolar Junction Transistor由两个 PN 结构成,电流由电子和空穴共同参与。主要有 NPN 和 PNP。Lec 3-4
NPN / PNPNPN 常规电流从 collector 到 emitter,PNP 极性相反。题图先判箭头和电源方向。Lec 3-4
Emitter / Base / Collector发射极注入载流子,基极控制,集电极收集载流子。Lec 3-4
Base-Emitter Junction放大区中正向偏置。判断 BJT 是否导通时先看它。Lec 3-4
Base-Collector Junction放大区中反向偏置。若也正向偏置,器件进入 saturation。Lec 3-4
电流增益 beta。active region 中用它由基极电流估算集电极电流。Lec 3-4
电流增益 alpha,小于 1。共基放大器常出现。Lec 3-4
截止区 Cutoff Region,晶体管近似 OFF。Lec 3-4
放大区 Active RegionBE 正偏、BC 反偏, 主要受 控制。线性放大分析默认在这里。Lec 3-4
饱和区 Saturation RegionBE、BC 都正偏, 很小,晶体管近似 ON。Lec 3-4
击穿区 Breakdown Region电压过高导致电流急剧增大,不作为正常工作区。Lec 3-4
直流负载线 DC Load Line由外部电源和电阻决定的 - 关系。Q 点必须落在其上。Lec 3-4
BJT 作为开关 BJT as Switchcutoff 对应 OFF,saturation 对应 ON。不要用 active-region 的 直接当最终电流。Lec 3-4

4-3-2 JFET 与 MOSFET

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JFET Junction Field-Effect Transistor用栅源电压改变沟道宽度,从而控制漏极电流。栅极通常反向偏置。Lec 3-4
Source / Drain / Gatesource 是多数载流子进入沟道的位置,drain 是离开沟道的位置,gate 控制沟道。Lec 3-4
沟道 ChannelJFET 或 MOSFET 中承载漏极电流的导电路径。Lec 3-4
夹断 Pinch-Off沟道被耗尽区挤压到使电流趋于恒定的状态。JFET 恒流区从这里理解。Lec 3-4
欧姆区 Ohmic Region 近似满足欧姆关系,器件像电压控制电阻。Lec 3-4
恒流区 Constant-Current Region 主要由 决定,适合放大。Lec 3-4
转移特性 Transfer Characteristic描述 的变化。JFET 常用平方关系。Lec 3-4
跨导 Transconductance 是输出电流对输入电压的斜率。它是 FET 小信号增益的入口量。Lec 3-4
自偏置 Self-BiasJFET gate 近似接地,source 电阻产生负 Lec 3-4
分压偏置 Voltage-Divider Bias用分压器设定 gate 电压,稳定性优于简单自偏置。Lec 3-4
MOSFET绝缘栅场效应管。输入电阻高,分为 depletion 和 enhancement 类型。Lec 3-4
D-MOSFET Depletion MOSFET预先有沟道,可 depletion 或 enhancement 工作。Lec 3-4
E-MOSFET Enhancement MOSFET无预形成沟道,只有 超过阈值后导通。Lec 3-4
阈值电压 Threshold VoltageE-MOSFET 形成导电沟道所需的最低 Lec 3-4
导通电阻 On Resistance 越小,导通损耗越低。常出现在 MOSFET 数据手册参数中。Lec 3-4

4-3-3 放大器分析

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放大器 Amplifier用较小输入控制较大输出。CCD 中主要分析 BJT 小信号放大器。Lec 5-6
直流分析 DC Analysis只求偏置电流和电压。电容开路,交流源不参与。Lec 5-6
戴维南等效 Thevenin Equivalent把基极分压网络化成一个电压源和串联电阻,方便求 与 Q 点。Lec 5-6
静态工作点 Q-Point无交流信号时的电流和电压。Q 点决定是否有足够摆幅且不削顶。Lec 5-6
交流等效 AC Equivalent电容视作短路,直流电源接交流地,晶体管换成小信号模型。Lec 5-6
r 参数 r Parameters 等小信号电阻描述 BJT。考试里最常用。Lec 5-6
h 参数 h Parameters另一种小信号参数表达。笔记中主要用于和 r 参数换算。Lec 5-6
相位反转 Phase Inversion共射输出与输入相差 。这是判断共射波形题的第一件事。Lec 5-6
输入电阻 Input Resistance信号源看到的等效电阻。偏置电阻、小信号基极电阻和负载折算都可能进入。Lec 5-6
电压增益 Voltage Gain输出电压与输入电压之比。共射、共集、共基的数量级和相位不同。Lec 5-6
旁路电容 Bypass Capacitor在交流中把 emitter resistor 短路,增大共射电压增益。Lec 5-6
负载效应 Loading Effect负载电阻与放大器输出等效电阻并联,使实际增益降低。Lec 5-6
共射放大器 Common-Emitter Amplifier电压增益高,电流增益高,输入电阻中等,输出反相。Lec 5-6
共集放大器 Common-Collector Amplifier又叫 emitter follower。电压增益约 1,输入电阻高,输出电阻低。Lec 5-6
共基放大器 Common-Base Amplifier输入电阻低,电压增益高,电流增益约 1,输出同相。Lec 5-6
电流增益 Current Gain输出电流与输入电流之比。共基约为 1,共射和共集较高。Lec 5-6
功率增益 Power Gain功率输出与功率输入之比。常转换成 dB。Lec 5-6
多级增益 Multistage Gain线性增益相乘,dB 增益相加。级间 loading 会改变实际值。Lec 5-6

4-4 混频、LC、匹配与振荡 RF Building Blocks

4-4-1 混频器 Mixers

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混频 Mixing用非线性乘法把两个频率组合,产生和频与差频。Lec 7
混频器 Mixer实现 frequency conversion 的电路。三个端口通常是 RF、LO、IF。Lec 7
本地振荡器 Local Oscillator, LO提供混频参考频率。LO 频率决定 IF 和 image frequency 的位置。Lec 7, Lec 17
中频 Intermediate Frequency, IF接收机把不同 RF 频道转换到的固定频率。固定 IF 便于高选择性滤波和增益设计。Lec 7, Lec 17
上变频 Up-Conversion保留和频,把基带或低频信号搬到 RF。发射端常见。Lec 7
下变频 Down-Conversion保留差频,把 RF 信号搬到 IF 或基带。接收端常见。Lec 7
理想频移 Ideal Frequency Shifting只保留需要的搬移分量,抑制不需要的和频、差频或原频率泄漏。Lec 7
二极管混频器 Diode Mixer利用二极管非线性产生频率分量,结构简单但杂散较多。Lec 7
BJT 混频器 BJT Mixer利用晶体管非线性并可能提供转换增益。Lec 7
JFET 混频器 JFET Mixer平方特性较干净,高阶杂散相对少。Lec 7
双栅 MOSFET 混频器 Dual-Gate MOSFET Mixer两个 gate 分别接 RF 和 LO,便于隔离输入并实现乘法控制。Lec 7
镜像频率 Image Frequency另一个会被同一 LO 转换到相同 IF 的 RF 频率。它若进入 mixer,会与目标信号重叠。Lec 7, Lec 17
镜像抑制 Image Rejection在 mixer 前用高选择性 RF filter 衰减 image frequency。Lec 7, Lec 17
转换损耗 Conversion LossIF 输出功率相对 RF 输入功率的损耗。无源混频器常见。Lec 7
转换增益 Conversion GainIF 输出功率相对 RF 输入功率的增益。有源混频器可能为正。Lec 7
隔离度 IsolationLO 泄漏到 RF 或 IF 端口的程度。数值越大越好。Lec 7
VSWR端口匹配程度,越接近 1 越好。可与反射系数互换理解。Lec 7

4-4-2 LC、Q 与阻抗匹配

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电容 Capacitor储存电场能量。实际电容有漏电和寄生参数。Lec 8
电感 Inductor储存磁场能量。实际电感有绕线电阻和自谐振限制。Lec 8
LC 谐振 Resonance电感磁场能量和电容电场能量来回交换。谐振频率由 决定。Lec 8
串联谐振 Series Resonance谐振时阻抗最小。常用于陷波或选择通路。Lec 8
并联 LC / 槽路 Tank Circuit谐振时阻抗最大。振荡器和调谐放大器常用。Lec 8, Lec 9
Q 值 Quality Factor描述选择性和储能损耗。Q 越高,带宽越窄,选择性越强。Lec 8
带通响应 Band-Pass Response只允许某个频带通过。中心频率、带宽、Q 是三个核心量。Lec 8
高频寄生 High-Frequency Parasitics引线电感、杂散电容、绕线电阻等非理想因素。高频电路不能忽略。Lec 8
串并联等效转换 Series-to-Parallel Conversion把含电阻的串联支路换成等效并联支路,匹配网络题常用。Lec 8
最大功率传输 Maximum Power Transfer负载阻抗应为源阻抗的共轭。实数系统中就是阻值相等。Lec 8
阻抗匹配 Impedance Matching让源和负载之间功率传输最大,并减少反射。Lec 8
反射系数 Reflection Coefficient衡量阻抗不连续处反射强弱。匹配时为 0。Lec 8
回波损耗 Return Loss用 dB 表示反射小不小。数值越大,反射越小。Lec 8
失配损耗 Mismatch Loss因阻抗不匹配导致无法传给负载的功率损失。Lec 8
L 型匹配网络 L Matching Network用一个串联和一个并联电抗完成阻抗变换。串联元件靠低电阻侧。Lec 8
Q Matching由指定 Q 或带宽反推匹配元件。先转等效阻抗,再选网络结构。Lec 8

4-4-3 振荡器 Oscillators

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振荡器 Oscillator不需要外部周期输入,靠反馈和选频网络产生周期输出。Lec 9
LC 槽路 Tank Circuit提供选频和能量交换。损耗会让振荡衰减,需要放大器补偿。Lec 9
飞轮效应 Flywheel EffectLC 中能量在电场和磁场之间交换,使振荡持续。Lec 9
Barkhausen 条件 Barkhausen Criterion环路相移为 ,环路增益起振时大于 1,稳态约等于 1。Lec 9
相移振荡器 Phase-Shift Oscillator用三节 RC 网络提供相移,放大器补足增益。Lec 9
开环设计 Open-Loop Design断开反馈环,分别计算放大器增益、反馈系数和等效阻抗。Lec 9
反馈系数 Feedback Factor反馈网络把输出送回输入的比例。Hartley 和 Colpitts 主要差在反馈网络。Lec 9
Hartley 振荡器 Hartley Oscillator抽头电感反馈。总电感参与谐振,抽头比决定反馈。Lec 9
Colpitts 振荡器 Colpitts Oscillator抽头电容反馈。串联等效电容参与谐振,电容比决定反馈。Lec 9
Clapp 振荡器 Clapp OscillatorColpitts 的变形,常加串联电容改善频率稳定度。Lec 9
晶体振荡器 Crystal Oscillator利用石英晶体高 Q 获得高频率稳定度。Lec 9
CXO / TCXO / OCXO晶体振荡器稳定度等级。TCXO 有温度补偿,OCXO 用恒温槽。Lec 9
压控振荡器 Voltage-Controlled Oscillator, VCO输出频率由控制电压决定。FM、PLL 都会使用。Lec 9, Lec 16
变容二极管 Varactor Diode反向偏置下作为电压控制电容,改变 LC 谐振频率。Lec 9, Lec 14
相位噪声 Phase Noise载波附近的频谱扩展,表示短期频率纯度。Lec 9
抖动 Jitter相位噪声在时域中的零交叉时间偏移。Lec 9
眼图 Eye Diagram用于观察数字信号定时和噪声余量。笔记里作为振荡器时域指标的补充。Lec 9
杂散分量 Spurious Components目标频率外的离散输出分量。频率合成和接收机都会怕它。Lec 9

4-5 调制与解调 Modulation and Demodulation

4-5-1 AM

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幅度调制 Amplitude Modulation, AM载波瞬时幅度随消息变化,载波频率保持不变。Lec 11-12
载波 Carrier承载消息的高频正弦信号。AM 中载波本身不含新增信息,但消耗功率。Lec 11-12
消息信号 Message Signal要传输的低频信息。AM 中它控制载波包络。Lec 11-12
调制度 Modulation Index表示载波幅度被消息改变的比例。 为过调制。Lec 11-12
包络 EnvelopeAM 波形外侧包络线。正常 AM 中 envelope detector 可直接恢复消息。Lec 11-12
过调制 Overmodulation调制度大于 1,包络发生交叉,解调失真。Lec 11-12
边频 Side Frequency单音 AM 产生 。多音信号形成边带。Lec 11-12
上边带 Upper Sideband, USB高于载波频率的一侧频谱。Lec 11-12
下边带 Lower Sideband, LSB低于载波频率的一侧频谱。Lec 11-12
AM 带宽 AM Bandwidth最高消息频率两倍。因为上下边带都要传。Lec 11-12
载波功率 Carrier PowerAM 总功率的一部分,不随消息携带新信息。Lec 11-12
边带功率 Sideband Power真正携带消息的功率部分。单音 AM 中上下边带功率相同。Lec 11-12
低电平调制 Low-Level Modulation在前级调制,后级用线性放大。灵活但效率受限。Lec 11-12
高电平调制 High-Level Modulation在末级功放调制,常用于高功率 AM 发射。Lec 11-12
集电极调制 Collector Modulation高电平 AM 的一种实现,让消息信号调节 Class C 放大器集电极电源。Lec 11-12

4-5-2 SSB

概念复习抓手来源
DSB-FCDouble-Sideband Full Carrier,普通 AM。含载波、USB、LSB。Lec 13
DSB-SCDouble-Sideband Suppressed Carrier,只保留上下边带,抑制载波。Lec 13
SSB Single-Sideband Communication只发送一个边带,通常同时抑制载波和另一个边带。Lec 13
USB / LSB 选择只保留上边带或下边带。选择哪一个不改变信息本身,但影响频谱位置。Lec 13
VSB Vestigial Sideband保留一个完整边带和另一个边带的一部分。用于兼顾带宽和滤波难度。Lec 13
AM 冗余 Redundancy in AM上下边带含相同信息,载波本身不含消息。SSB 就是从这里节省功率和带宽。Lec 13
平衡调制器 Balanced Modulator产生 DSB-SC,抑制载波。后面再通过滤波得到 SSB。Lec 13
二极管环形调制器 Diode Ring Modulator用四个二极管作开关,载波半周期交替翻转消息信号,得到 DSB-SC。Lec 13
边带滤波 Sideband Filtering用高选择性滤波器去掉不需要的边带。难点是滤波器 Q。Lec 13
滤波法 SSB 发射机 Filter-Method Transmitter先生成 DSB-SC,再滤掉一个边带,后续放大和频率搬移。Lec 13
SSB 接收机 SSB Receiver需要重新插入本地载波,再用 product detector 恢复音频。Lec 13
BFO Beat Frequency Oscillator在接收端提供本地载波,使 SSB 能正确还原为音频。Lec 13
Product Detector把 SSB 与本地载波相乘,得到音频差频分量。Lec 13

4-5-3 FM 与 PM

概念复习抓手来源
角度调制 Angle Modulation用消息信号改变载波瞬时相位或瞬时频率,理想幅度保持不变。Lec 14
频率调制 Frequency Modulation, FM消息控制瞬时频率。噪声性能好,带宽通常比 AM 大。Lec 14
相位调制 Phase Modulation, PM消息控制瞬时相位。FM 与 PM 可通过积分或微分互相转换。Lec 14
载波角度 Carrier Angle载波相位函数 。瞬时频率是相位变化率。Lec 14
瞬时频率 Instantaneous Frequency随时间变化的频率。FM 题先从这里看频偏。Lec 14
频偏 Frequency DeviationFM 瞬时频率相对中心频率的最大偏移。Lec 14
调频指数 Modulation Index for FM频偏与消息频率之比。决定边频数量和频谱扩展程度。Lec 14
Bessel 边频 Bessel Side FrequenciesFM 频谱含 多个边频,幅度由 Bessel 函数决定。Lec 14
Carson 定则 Carson Rule估算 FM 传输带宽。工程题通常用它快速定带宽。Lec 14
变容二极管 FM Varactor FM消息改变 varactor 电容,从而改变 LC 振荡频率。Lec 14
间接 FM Indirect FM先生成 PM 或窄带 FM,再通过倍频得到所需频偏。Lec 14
倍频器 Frequency Multiplier输出频率和频偏同时按倍数增加,调制指数也相应改变。Lec 14
斜率检波器 Slope Detector先把 FM 转成 AM 幅度变化,再用包络检波恢复消息。Lec 14, Lec 16
限幅 Limiting去掉 FM 信号的幅度噪声,使后续解调主要响应频率变化。Lec 14
噪声抑制 Noise SuppressionFM 的抗噪优势来自幅度限幅和频偏信息承载。Lec 14

4-6-1 天线空间概念

概念复习抓手来源
天线 Antennaguided wave 与 free-space wave 之间的转换器。发射和接收是同一物理过程的两个方向。Lec 15
发射天线 Transmitting Antenna把传输线信号辐射到空间。重点是匹配、方向性和辐射效率。Lec 15
接收天线 Receiving Antenna从空间电磁波中耦合能量到电路。后接 RF receiver。Lec 15
近场 Near Field天线附近,电场和磁场关系复杂,不能按远场平面波处理。Lec 15
远场 Far Field离天线足够远,辐射方向图、功率密度和链路预算在这里定义。Lec 15
远场边界 Far-Field Boundary判断是否能用远场近似的距离门槛,和天线最大尺寸、波长有关。Lec 15
辐射方向图 Radiation Pattern辐射强度随方向变化的图。先找主瓣、副瓣、零点。Lec 15
主瓣 Main Lobe辐射最强的方向区域。天线瞄准通常看它。Lec 15
副瓣 Side Lobe非主方向上的辐射。副瓣过高会带来干扰和能量浪费。Lec 15
零点 Null辐射接近零的方向。FNBW 用主瓣两侧第一零点定义。Lec 15

4-6-2 天线参数与链路

概念复习抓手来源
HPBW Half-Power Beamwidth主瓣峰值下降到半功率,也就是 两点之间的角度。Lec 15
FNBW First Null Beamwidth主瓣两侧第一零点之间的角度。通常大于 HPBW。Lec 15
功率密度 Power Density单位面积接收到的功率。链路预算中随距离平方衰减。Lec 15
辐射强度 Radiation Intensity单位立体角辐射功率。用于定义方向性。Lec 15
方向性 Directivity某方向辐射强度相对全向平均值的比。只看方向集中程度。Lec 15
天线增益 Antenna Gain在方向性基础上考虑效率,用输入功率作参考。Lec 15
天线带宽 Antenna Bandwidth天线满足匹配、增益或方向图要求的频率范围。Lec 15
前后比 Front-to-Back Ratio主瓣前向辐射与后向辐射的比值。方向性天线常用。Lec 15
EIRP等效全向辐射功率。把发射功率和天线增益合并看。Lec 15
通信链路 Communication Link由发射功率、天线增益、路径损耗、接收增益和接收机灵敏度共同决定。Lec 15
自由空间路径损耗 Free-Space Path Loss自由空间传播导致的功率衰减。频率越高、距离越远,损耗越大。Lec 15

4-7 PLL 与频率控制 PLL and Frequency Control

4-7-1 FM 解调与 PLL 模块

概念复习抓手来源
FM 解调器 FM Demodulator把频率变化还原为电压变化。输出应与原始消息成比例。Lec 16
频率鉴别器 Frequency Discriminator频率检测器的另一种叫法。斜率检波、PLL 检波都可归入这类。Lec 16
脉冲平均 Pulse-Averaging把频率变化转为脉冲密度变化,再取平均得到电压。Lec 16
正交检波 Quadrature Detector把频偏转为相位差,再由相位检测恢复消息。Lec 16
PLL 检波 PLL DetectorVCO 跟踪 FM 输入,控制电压就是解调输出。Lec 16
锁相环 Phase-Locked Loop, PLL反馈电路,使 VCO 输出频率与输入信号频率同步。Lec 16
相位检测器 Phase Detector比较输入相位与 VCO 输出相位,把相位误差转成电压。Lec 16
环路滤波器 Loop Filter滤掉相位检测器输出中的高频项,保留控制 VCO 的低频误差信号。Lec 16
VCO用控制电压改变输出频率,是 PLL 的被控对象。Lec 16
PLL 增益 PLL Gain常由相位检测器增益和 VCO 增益相乘得到,决定误差到频率修正的强度。Lec 16

4-7-2 PLL 状态、参数与模型

概念复习抓手来源
自由运行 Free-Running未锁定时 VCO 以自身自由振荡频率运行。Lec 16
捕获 Capture输入信号出现后,环路尝试把频率误差拉入可锁定范围。Lec 16
锁定 LockedVCO 频率等于输入频率,相位差保持常数。Lec 16
相位误差 Phase Error输入相位与输出相位的差。PLL 实际调节的是这个量。Lec 16
控制电压 Control Voltage环路滤波器输出,直接控制 VCO 频率。Lec 16
捕获范围 Capture Range未锁定时能够捕获输入的频率范围,通常比 lock range 窄。Lec 16
锁定范围 Lock Range已锁定后仍能维持锁定的输入频率范围。Lec 16
XOR Phase Detector简单数字相位检测器,适合方波输入。Lec 16
PFD Phase-Frequency Detector同时判断相位和频率方向,比 XOR 更适合捕获过程。Lec 16
Charge Pump PFDPFD 与电荷泵组合,常用于集成 PLL。Lec 16
负反馈模型 Negative Feedback Model把 PLL 看成相位域反馈系统,便于写传递函数。Lec 16
一阶 PLL First-Order PLL无额外动态滤波或使用简单比例模型,传递函数较简单。Lec 16
二阶 PLL Second-Order PLL加一阶环路滤波器后出现自然频率和阻尼比。Lec 16
4046 VCO课件常用 PLL 芯片例子,外接 决定频率范围。Lec 16

4-8 RF 接收机 RF Receivers

4-8-1 接收机架构

概念复习抓手来源
射频接收机 RF Receiver从天线信号中选出目标信号、抑制干扰、放大并解调。Lec 17
TRF 接收机 Tuned Radio Frequency Receiver不做频率变换,所有 RF 级直接调谐到目标载波。结构简单但稳定性和选择性差。Lec 17
外差 HeterodyneRF 与 LO 混频产生固定 IF。superhet 的核心思想。Lec 17
超外差接收机 Superheterodyne Receiver把不同 RF 频道都搬到固定 IF,再做高选择性滤波和放大。Lec 17
RF Section天线后的前端选择和放大部分。要在噪声、线性度、镜像抑制之间折中。Lec 17
Mixer / Converter Section完成 RF 到 IF 的频率转换。Lec 17
Intermediate Frequency Section固定 IF 上的滤波和增益部分。选择性主要由这里决定。Lec 17
Detector and Audio Section解调并放大基带或音频输出。Lec 17
AGC Automatic Gain Control根据信号强弱自动调节接收机总增益,使输出幅度稳定。Lec 17
High-Side InjectionLO 频率高于 RF。镜像频率会出现在目标 RF 的另一侧。Lec 17
Low-Side InjectionLO 频率低于 RF。计算 image frequency 时要先画频率轴。Lec 17

4-8-2 接收机质量指标

概念复习抓手来源
选择性 Selectivity区分 desired signal 和 unwanted signals 的能力,通常由滤波器 Q 与带宽决定。Lec 17
灵敏度 Sensitivity在满足指定 SNR 下仍能接收的最小 RF 输入信号。下限受 noise floor 和 NF 影响。Lec 17
保真度 Fidelity输出信号复制原始信息的准确程度。选择性不足或非线性都会破坏它。Lec 17
动态范围 Dynamic Range最大可处理信号与最小可接收信号之间的范围。上限受压缩和互调限制,下限受灵敏度限制。Lec 17
邻道抑制 Adjacent-Channel Rejection抑制邻近频率干扰的能力,属于选择性的具体表现。Lec 17
镜像接收 Image Receptionimage frequency 未被前端滤掉,进入 IF 后与目标信号重叠。Lec 17
RF Filter Q前端滤波器越高 Q,image rejection 越好,但调谐难度越大。Lec 17

4-8-3 非线性与噪声

概念复习抓手来源
非线性模型 Nonlinear Model输出可写成输入的幂级数。二阶、三阶项产生谐波和互调。Lec 17
谐波失真 Harmonic Distortion输出出现输入频率的整数倍分量。Lec 17
THD Total Harmonic Distortion高阶谐波幅度相对基波幅度的比例。Lec 17
1 dB 压缩点 1 dB Compression Point实际输出比理想线性外推低 时的输入功率。Lec 17
互调失真 Intermodulation Distortion多个输入信号在非线性器件中混合,产生不在原输入频率上的新分量。Lec 17
三阶互调 Third-Order Intermodulation最危险,因为 常落在信道附近。Lec 17
IIP3 Input Third-Order Intercept Point基波和三阶互调小信号趋势外推相交时的输入功率。越高线性度越好。Lec 17
OIP3 Output Third-Order Intercept PointIIP3 加上增益后的输出端截点。Lec 17
噪声底 Noise Floor系统背景噪声形成的最低可检测功率基准。Lec 17
噪声因子 Noise Factor输入 SNR 与输出 SNR 之比,衡量系统让 SNR 退化多少。Lec 17
噪声系数 Noise FigureNoise factor 的 dB 表示。Lec 17
等效噪声温度 Equivalent Noise Temperature用等效温度表示器件噪声。常与 noise factor 互换。Lec 17
Friis 公式 Friis Formula级联系统总噪声由前级增益强烈决定。第一级 LNA 很关键。Lec 17
Front-End Sensitivity把前端增益、噪声系数、带宽和所需 SNR 合起来看最小输入信号。Lec 17

4-9 DAC、ADC 与转换误差 Converters and Errors

4-9-1 DAC

概念复习抓手来源
DAC Digital-to-Analog Converter把数字二进制码转换为对应模拟电压或电流。Lec 18
数字系统与模拟世界 Digital Systems and Analog World处理器输出离散 code,真实执行器和信号通常需要连续模拟量。DAC 连接这两边。Lec 18
参考电压 Reference VoltageDAC 输出满量程和步距的基准。Lec 18
分辨率 Resolutionbit 数决定可分级数。bit 越多,步距越小。Lec 18, Lec 19
LSB Least Significant Bit最小 code 变化对应的模拟步距。误差常用 LSB 衡量。Lec 18, Lec 19
阶梯波形 Staircase WaveformDAC 输出随数字 code 变化呈阶梯。理想连续量需要后续滤波或保持。Lec 18
建立时间 Settling Timecode 改变后输出进入允许误差范围所需时间。高速 DAC 重点看它。Lec 18
电流求和 Current SummingDAC 常把各 bit 对应电流相加,再用 op-amp 转成电压。Lec 18
反相 DAC Inverting DAC运放反相端求和,输出符号与参考极性相关。Lec 18
同相 DAC Non-Inverting DAC输出与输入码极性同向,结构和分析入口不同。Lec 18
加权电阻 DAC Weighted Resistor DAC不同 bit 使用按权重变化的电阻。直观但高位数时电阻跨度太大。Lec 18
R-2R 电阻梯 DAC R-2R Ladder DAC只用 两种阻值,制造更友好。考试题常从梯形等效电阻切入。Lec 18
MSB / LSB 权重MSB 贡献最大,LSB 贡献最小。计算输出时先确认 bit 权重方向。Lec 18

4-9-2 ADC

概念复习抓手来源
ADC Analog-to-Digital Converter把模拟输入电压转换为对应数字码。Lec 19
采样 Sampling在离散时间点取模拟值。Lec 19
保持 Holding保持采样值不变,以便后续量化和编码。Lec 19
量化 Quantization把连续幅度映射到有限个离散等级。Lec 19
编码 Encoding把量化等级写成 binary value。Lec 19
采样周期 Sampling Period相邻采样点的时间间隔。Lec 19
Nyquist-Shannon 采样定理带限信号采样频率至少为最高频率两倍,否则会混叠。Lec 19
混叠 Aliasing高频分量采样后表现为低频分量。前端 anti-aliasing filter 就是为它服务。Lec 19
量化误差 Quantization Error实际输入与量化代表值之间的误差,理想情况下限制在半个 LSB 内。Lec 19
SAR ADC Successive Approximation ADC用逐次逼近寄存器从 MSB 到 LSB 二分搜索。速度和复杂度折中好。Lec 19
Dual-Slope ADC先积分输入再用参考反向积分,精度高、速度慢,抗噪较好。Lec 19
Flash ADC用大量比较器一次判断。速度最快,但硬件规模随 bit 数指数增长。Lec 19
ADC 类型比较 ADC ComparisonSAR 折中,dual-slope 慢但准,flash 快但贵。Lec 19

4-9-3 转换器误差

概念复习抓手来源
转换器误差 Converter Error实际转换曲线偏离理想直线的方式。先判断是平移、斜率错,还是局部非线性。Lec 20
增益误差 Gain Error实际输入输出曲线斜率与理想斜率不同。零点可能仍然正确。Lec 20
偏移误差 Offset Error整条转换曲线上下平移。斜率可以正确,但零点不准。Lec 20
非线性误差 Non-Linearity Error曲线不能用简单斜率或平移修正。分为 INL 与 DNL。Lec 20
INL Integral Non-Linearity实际转换点相对理想直线的最大偏差。看全局偏离。Lec 20
DNL Differential Non-Linearity相邻 code 实际步距相对理想 1 LSB 的偏差。看局部步距。Lec 20
Missing Code某个数字码永远不会出现,通常与严重 DNL 有关。Lec 20
Monotonicity输入增加时输出码不应下降。DAC/ADC 都会关心单调性。Lec 20

4-10 概念串联 Concept Map

主线概念链
系统视角source → transmitter → channel → receiver → destination
信号视角message → modulation → spectrum → bandwidth → demodulation
器件视角semiconductor → PN junction → diode / BJT / FET → amplifier / mixer / oscillator
频率搬移视角RF + LO → mixer → IF,image frequency 需要前端滤波
选频视角LC resonance → Q → bandwidth → selectivity → matching
发射视角oscillator / carrier → modulation → power amplifier → antenna
接收视角antenna → RF filter / LNA → mixer → IF filter → detector → audio/baseband
噪声视角thermal noise → noise floor → noise factor / NF → sensitivity
非线性视角harmonic distortion → intermodulation → compression point → IIP3
转换视角sampling → quantization → encoding,或 binary code → DAC output

最后复习时可以按三个问题扫一遍:

  1. 这个概念是在处理幅度、频率、相位、功率、阻抗,还是在处理码值
  2. 它属于器件级、电路级、系统级中的哪一层。
  3. 题目给图时,先判断它是 amplifier、mixer、oscillator、modulator、receiver、converter 中的哪一种。

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